场效应管怎么测 场效应管怎么测量好坏
k1120场效应管怎么测量
测量k1120场效应管步骤。
1、将测试仪的输入档位设置为源极-漏极,并将其电容档位设置为测量。
2、将测试仪的漏极档位调节到最小,以确保测试仪没有受到外界电磁干扰。
3、将测试仪的源极档位调节到最大,并将测试仪的电压档位设置为测量。
4、将测试仪的漏极档位调节到最小,以确保测试仪没有受到外界电磁干。
5、将测试仪的源极档位调节到最大,以测量场效应管的放大系数。
6、根据测量结果,计算出场效应管的放大系数。
场效应管的好坏如何测量?
测试电子元件,前提是你要对该元件的工作原理、导电特点、参数特征、典型电路等常识比较熟悉。当然,最关键是经常实践。
以N沟道场效应管8N60为例:
1、万用表切换到欧姆表的“x10k”档,将G、S两极短接,黑表笔接D极、红表笔接S极,显示的电阻值应该为∞。
2、档位不变,将G极和D极短接,表笔接法不变,显示的电阻值应该非常小、接近零。
如果是这样,表面上看管子是好的。
P沟道场效应管,需要将红、黑表笔反过来接,其余步骤相同。
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由于场效应管栅源开启电压通常高于2V(少数型号除外),因此 x1、x10、x100等档位是不行的,因为内部电池是1.5V的,而 x10k档电池通常至少为9V。
场效应管的测量方法
电阻法测电极
根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象,可以判别出结型场效应管的三个
电极。具体方法:将万用表拨在R×1k档上,任选两个电极,分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正、反向电阻值相等,且为几千欧姆时,则该两个电极分别是漏极D和源极S。因为对结型场效应管而言,漏极和源极可互换,剩下的电极肯定是栅极G。也可以将万用表的黑表笔(红表笔也行)任意接触一个电极,另一只表笔依次去接触其余的两个电极,测其电阻值。当出现两次测得的电阻值近似相等时,则黑表笔所接触的电极为栅极,其余两电极分别为漏极和源极。若两次测出的电阻值均很大,说明是PN结的反向,即都是反向电阻,可以判定是P沟道场效应管,且黑表笔接的是栅极;若两次测出的电阻值均很小,说明是正向PN结,即是正向电阻,判定为N沟道场效应管,黑表笔接的也是栅极。若不出现上述情况,可以调换黑、红表笔按上述方法进行测试,直到判别出栅极为止。
电阻法测好坏
测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极G1与栅极G2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。具体方法:首先将万用表置于R×10或R×100档,测量源极S与漏极D之间的电阻,通常在几十欧到几千欧范围(在手册中可知,各种不同型号的管,其电阻值是各不相同的),如果测得阻值大于正常值,可能是由于内部接触不良;如果测得阻值是无穷大,可能是内部断极。然后把万用表置于R×10k档,再测栅极G1与G2之间、栅极与源极、栅极与漏极之间的电阻值,当测得其各项电阻值均为无穷大,则说明管是正常的;若测得上述各阻值太小或为通路,则说明管是坏的。要注意,若两个栅极在管内断极,可用元件代换法进行检测。
测放大能力
用感应信号法具体方法:用万用表电阻的R×100档,红表笔接源极S,黑表笔接漏极D,给场效应管加上1.5V的电源电压,此时表针指示出的漏源极间的电阻值。然后用手捏住结型场效应管的栅极G,将人体的感应电压信号加到栅极上。这样,由于管的放大作用,漏源电压VDS和漏极电流Ib都要发生变化,也就是漏源极间电阻发生了变化,由此可以观察到表针有较大幅度的摆动。如果手捏栅极表针摆动较小,说明管的放大能力较差;表针摆动较大,表明管的放大能力大;若表针不动,说明管是坏的。
根据上述方法,用万用表的R×100档,测结型场效应管3DJ2F。先将管的G极开路,测得漏源电阻RDS为600Ω,用手捏住G极后,表针向左摆动,指示的电阻RDS为12kΩ,表针摆动的幅度较大,说明该管是好的,并有较大的放大能力。
运用这种方法时要说明几点:首先,在测试场效应管用手捏住栅极时,万用表针可能向右摆动(电阻值减小),也可能向左摆动(电阻值增加)。这是由于人体感应的交流电压较高,而不同的场效应管用电阻档测量时的工作点可能不同(或者工作在饱和区或者在不饱和区)所致,试验表明,多数管的RDS增大,即表针向左摆动;少数管的RDS减小,使表针向右摆动。但无论表针摆动方向如何,只要表针摆动幅度较大,就说明管有较大的放大能力。第二,此方法对MOS场效应管也适用。但要注意,MOS场效应管的输人电阻高,栅极G允许的感应电压不应过高,所以不要直接用手去捏栅极,必须用于握螺丝刀的绝缘柄,用金属杆去碰触栅极,以防止人体感应电荷直接加到栅极,引起栅极击穿。第三,每次测量完毕,应当G-S极间短路一下。这是因为G-S结电容上会充有少量电荷,建立起VGS电压,造成再进行测量时表针可能不动,只有将G-S极间电荷短路放掉才行。
无标示管的判别
首先用测量电阻的方法找出两个有电阻值的管脚,也就是源极S和漏极D,余下
两个脚为第一栅极G1和第二栅极G2。把先用两表笔测的源极S与漏极D之间的电阻值记下来,对调表笔再测量一次,把其测得电阻值记下来,两次测得阻值较大的一次,黑表笔所接的电极为漏极D;红表笔所接的为源极S。用这种方法判别出来的S、D极,还可以用估测其管的放大能力的方法进行验证,即放大能力大的黑表笔所接的是D极;红表笔所接地是S极,两种方法检测结果均应一样。当确定了漏极D、源极S的位置后,按D、S的对应位置装人电路,一般G1、G2也会依次对准位置,这就确定了两个栅极G1、G2的位置,从而就确定了D、S、G1、G2管脚的顺序。
判断跨导的大小
测反向电阻值的变化判断跨导的大小.对VMOSV沟道增强型场效应管测量跨导性能时,可用红表笔接源极S、黑表笔接漏极D,这就相当于在源、漏极之间加了一个反向电压。此时栅极是开路的,管的反向电阻值是很不稳定的。将万用表的欧姆档选在R×10kΩ的高阻档,此时表内电压较高。当用手接触栅极G时,会发现管的反向电阻值有明显地变化,其变化越大,说明管的跨导值越高;如果被测管的跨导很小,用此法测时,反向阻值变化不大。
怎么测量场效应管?
场效应管管脚测定方法
①栅极G的测定:用万用表R×100 档,测任意两脚之间正反向电阻,若其中某次测得电阻为数百Ω),该两脚是D、S,第三脚为G。
②漏极D、源极S及类型判定:用万用表 R ×10kΩ档测 D、S问正反向电阻,正向电阻约为0.2 ×10kΩ,反向电阻(5一∞)X100kΩ。在测反向电阻时,红表笔不动,黑表笔脱离引脚后,与G碰一下,然后回去再接原引脚,出现两种情况:
a.若读数由原来较大值变为0(0×10kΩ),则红表笔所接为S,黑表笔为D。用黑表笔接触G有效,使MOS管D、S间正反向电阻值均为0Ω,还可证明该管为N沟道。
b.若读数仍为较大值,黑表笔不动,改用红表笔接触G,碰一下之后立即回到原脚,此时若读数为0Ω,则黑表笔接的是S极、红表笔为D极,用红表笔接触G极有效,该MOS管为P沟道。
场效应管好坏测量视频
场效应管测量好坏方法
(1)用测电阻法判别结型场效应管的电极
依据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象,能够判别出结型场效应管的三个电极。详细办法:将万用表拨在R×1k档上,任选两个电极,分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正、反向电阻值相等,且为几千欧姆时,则该两个电极分别是漏极D和源极S。由于对结型场效应管而言,漏极和源极可互换,剩下的电极肯定是栅极G。也能够将万用表的黑表笔(红表笔也行)任意接触一个电极,另一只表笔依次去接触其他的两个电极,测其电阻值。当呈现两次测得的电阻值近似相等时,则黑表笔所接触的电极为栅极,其他两电极分别为漏极和源极。若两次测出的电阻值均很大,阐明是PN结的反向,即都是反向电阻,能够断定是N沟道场效应管,且黑表笔接的是栅极;若两次测出的电阻值均很小,阐明是正向PN结,即是正向电阻,断定为P沟道场效应管,黑表笔接的也是栅极。若不呈现上述状况,能够互换黑、红表笔按上述办法停止测试,直到判别出栅极为止。
(2)用测电阻法判别场效应管的好坏
测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极G1与栅极G2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值能否相符去判别管的好坏。详细办法:首先将万用表置于R×10或R×100档,丈量源极S与漏极D之间的电阻,通常在几十欧到几千欧范围(在手册中可知,各种不同型号的管,其电阻值是各不相同的),假如测得阻值大于正
如何测试判断场效应管好坏?
1、场效应管的检测方法:把数字万用表打到二极管档,用两表笔任意触碰场效应管的三只引脚,好的场效应管在量测的时候只应有一次有读数,而且数值在300--800左右,
2、如果在最终测量结果中测的只有一次有读数,并且为0时须万用表短接场效应管的引脚,
3、重新测量一次,若又测得一组为300--800左右读数时此管也为好管。
4、将万用表开到二极管档,用万用表的两个表笔量测D、S极和G、S极,看看两极之间的读数是不是很小,如果这个值在50以下,则可以判断为这个效应管已经被击穿
场效应管(Field Effect Transistor)又称场效应晶体管,是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件。由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管,[1]它属于电压控制型半导体器件。主要有两种类型(junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管(metal-oxide semiconductor FET,简称MOS-FET)。
场效应管具有输入电阻高(10 7~10 15Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点,现已成为双极型晶体管和 功率晶体管的强大竞争者。
与 双极型晶体管相比,场效应管具有如下特点。
(1)场效应管是电压控制 器件,它通过V GS(栅源电压)来控制I D(漏极电流);
(2)场效应管的控制输入端 电流极小,因此它的 输入电阻(10 7~10 12Ω)很大。
(3)它是利用多数 载流子导电,因此它的 温度稳定性较好;
(4)它组成的 放大电路的电压放大 系数要小于三极管组成放大电路的 电压放大系数;
(5)场效应管的抗 辐射能力强;
(6)由于它不存在杂乱 运动的电子扩散引起的 散粒噪声,所以噪声低。
场效应管工作原理用一句话说,就是“漏极-源极间流经沟道的ID,用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID”。更正确地说,ID流经通路的宽度,即沟道截面积,它是由pn结反偏的变化,产生耗尽层扩展变化控制的缘故。在VGS=0的非饱和区域,表示的过渡层的扩展因为不很大,根据漏极-源极间所加VDS的 电场,源极区域的某些电子被漏极拉去,即从漏极向源极有电流ID流动。从门极向漏极扩展的过度层将沟道的一部分构成堵塞型,ID饱和。将这种状态称为夹断。这意味着过渡层将沟道的一部分阻挡,并不是电流被切断。
在过渡层由于没有 电子、空穴的自由移动,在 理想状态下几乎具有绝缘特性,通常电流也难流动。但是此时漏极-源极间的电场,实际上是两个过渡层接触漏极与门极下部附近,由于漂移电场拉去的高速电子通过过渡层。因漂移电场的 强度几乎不变产生ID的饱和现象。其次,VGS向负的方向变化,让VGS=VGS(off),此时过渡层大致成为覆盖全区域的状态。而且VDS的电场大部分加到过渡层上,将电子拉向漂移方向的电场,只有靠近源极的很短部分,这更使电流不能流通。
MOS 场效应管电源开关电路
MOS场效应管也被称为金属氧化物半导体场效应管(MetalOxideSemiconductor FieldEffect Transistor,MOSFET)。它一般有耗尽型和增强型两种。增强型MOS场效应管可分为NPN型PNP型。NPN型通常称为N沟道型,PNP型也叫P沟道型。对于N沟道的场效应管其源极和漏极接在N型半导体上,同样对于P沟道的场效应管其源极和漏极则接在P型半导体上。场效应管的输出电流是由输入的电压(或称电场)控制,可以认为输入电流极小或没有输入电流,这使得该器件有很高的输入阻抗,同时这也是我们称之为场效应管的原因。
场效应管在二极管加上正向电压(P端接正极,N端接负极)时,二极管导通,其PN结有电流通过。这是因为在P型半导体端为正电压时,N型半导体内的负电子被吸引而涌向加有正电压的P型半导体端,而P型半导体端内的正电子则朝N型半导体端运动,从而形成导通电流。同理,当二极管加上反向电压(P端接负极,N端接正极)时,这时在P型半导体端为负电压,正电子被聚集在P型半导体端,负电子则聚集在N型半导体端,电子不移动,其PN结没有电流通过,二极管截止。在栅极没有电压时,由前面分析可知,在源极与漏极之间不会有电流流过,此时场效应管处与截止状态(图7a)。当有一个正电压加在N沟道的MOS场效应管栅极上时,由于电场的作用,此时N型半导体的源极和漏极的负电子被吸引出来而涌向栅极,但由于氧化膜的阻挡,使得电子聚集在两个N沟道之间的P型半导体中(见图7b),从而形成电流,使源极和漏极之间导通。可以想像为两个N型半导体之间为一条沟,栅极电压的建立相当于为它们之间搭了一座桥梁,该桥的大小由栅压的大小决定。
C-MOS 场效应管(增强型 MOS 场效应管)
电路将一个增强型P沟道MOS场效应管和一个增强型N沟道MOS场效应管组合在一起使用。当输入端为低电平时,P沟道MOS场效应管导通,输出端与电源正极接通。当输入端为高电平时,N沟道MOS场效应管导通,输出端与电源地接通。在该电路中,P沟道MOS场效应管和N沟道MOS场效应管总是在相反的状态下工作,其相位输入端和输出端相反。通过这种工作方式我们可以获得较大的电流输出。同时由于漏电流的影响,使得栅压在还没有到0V,通常在栅极电压小于1到2V时,MOS场效应管既被关断。不同场效应管其关断电压略有不同。也正因为如此,使得该电路不会因为两管同时导通而造成电源短路。
场效应管的测量方法有哪些?
可以用指针式万用表测电阻法对场效应管进行测量。
场效应管的测量方法
我们主板中常用的MOS管G D S3个引脚是固定的,不管是N沟道还是P沟道都一样,把芯片放正,从左到右分别为G极D极S极。
用二极管档对MOS管的测量,首先要短接三只引脚对管子进行放电。然后用红表笔接S极,黑表笔接D极,如果测得有500多的数值,说明此管为N沟道。
黑笔不动..用红笔去接触G极测得数值为1。
红笔移回到S极.此时管子应该为导通。
然后红笔测D极,而黑笔测S极.应该测得数值为1。(这1步时要注意.因为之前测量时给了G极2.5V万用表的电压,所以DS之间还是导通的,不过大概10几秒后才恢复正常,建议进行这1步时再次短接三脚给管子放电先)。
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